新一代石墨烯制备系统可以轻松制备出高质量的石墨烯
更新时间：2021-05-07 点击次数：5168
石墨烯(Graphene)具有的光学、电学、力学特性，被认为是一种未来的功能/结构材料，在能源环境、生物医疗、电子器件、化工和航空航天等多方面具有重要的应用。
石墨烯的生长温度一般在1000℃，非常接近铜的熔点，大量的铜会蒸发并沉积在石英管壁上，并不可避免地被氧化成氧化铜或氧化亚铜，会增加反应体系中氧或水(通过氢气或甲烷对氧化物的还原)的引入。氧对石墨烯生长的作用具有多面性，一方面氧可以有效去除杂质碳从而降低形核密度提升石墨烯质量；另一方面氧可以在增加石墨烯形核能的同时降低其长大势垒从而加快石墨烯生长的速度以得到大尺寸单晶石墨烯，同时氧的存在还对少数层石墨烯的生长有一定的作用。
使用严重铜污染的石英管制备得到的石墨烯中的缺陷明显高于使用干净的新石英管制备的石墨烯。但当优化氢气流量，减少反应体系中氧(水)的引入，同样使用铜污染的石英管，却可以减少制备的石墨烯中缺陷浓度。他们还发现，当有堆积的铜污染存在于石英管壁上，石墨烯的生长速率降低，需要更高的碳源分压和更长的生长时间来实现连续的石墨烯薄膜的制备。
我公司在上一代石墨烯制备系统产品的基础上，经过全体员工的不懈努力，终于成功研制出了新一代石墨烯制备系统。该套石墨烯制备系统可向广大科研人员提供完整的石墨烯生长系统，同时提供石墨烯转移及测试的详细解决方案。
该石墨烯制备系统兼容真空及常压两种主流的生长模式，采用计算机自动控制，石墨烯制备系统内置了多种制备石墨烯的生长参数，用户只需简单操作，就可以轻松的制备出高质量的石墨烯。采用该系统，可以制备出毫米尺寸的石墨烯大单晶，也可以制备出数十厘米尺寸的石墨烯连续薄膜，还能生长13C同位素石墨烯。将为科研人员提供大量的研究机会，也为我们实现各种科学构想创造了可能的条件。
综上，详细解说了石墨烯的制备原理以及制备系统的诸多优势，希望对大家了解这个系统有所帮助。
